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PUMB9,115 发布时间 时间:2025/9/14 16:45:54 查看 阅读:4

PUMB9,115是由NXP Semiconductors生产的一款双极型晶体管阵列芯片。该器件主要用于需要高增益和低噪声放大的电子电路中,适合用于模拟信号处理和功率放大等应用场景。该芯片采用SOT343封装,具有良好的热稳定性和高频性能,适用于各种消费类电子、工业控制及通信设备。

参数

类型:双极型晶体管阵列
  晶体管类型:NPN/PNP
  集电极-发射极电压(Vce):100V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT343

特性

PUMB9,115是一款高度集成的晶体管阵列,包含多个NPN和PNP晶体管,能够有效减少PCB板上元件的数量和布局复杂度。该器件具有优良的匹配性能,确保了在差分放大器等应用中的高对称性和稳定性。此外,PUMB9,115的封装设计具备良好的热管理能力,能够在高工作温度环境下保持稳定运行。其高频响应特性也使其适用于射频和中频放大电路。
  该器件的另一个显著特点是其低噪声系数,这使其非常适合用于前级放大器和高灵敏度信号处理电路。此外,该芯片的制造工艺采用了先进的硅外延平面技术,提供了良好的电气性能和可靠性。

应用

PUMB9,115广泛应用于音频放大器、射频放大器、差分放大电路、传感器接口电路以及各类工业自动化设备中的信号调理模块。此外,该器件也常用于通信设备中的前置放大器和混频器电路。

替代型号

PUMB8,115; PUMB10,115; BCW61; BCW62

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PUMB9,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934057506115PUMB9 T/RPUMB9 T/R-ND