型号：10SS150M
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　封装/包装：SMA (DO-214AC)
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：150V
　　最大直流阻断电压 VR：150V
　　最大平均整流电流 IO：1.0A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：30A
　　最大正向电压 VF @ IF=1A：1.3V
　　最大反向漏电流 IR @ 25°C：200μA
　　最大反向漏电流 IR @ 125°C：5mA
　　最大反向恢复时间 trr：无（肖特基二极管）
　　工作结温范围 TJ：-65°C ~ +125°C
　　存储温度范围 Tstg：-65°C ~ +150°C

10SS150M的核心优势在于其优异的电学性能与高可靠性。首先，其低正向压降特性显著提升了电源系统的整体效率。在1A的工作电流下，最大正向压降仅为1.3V，相较于传统硅二极管通常1.8V以上的压降，能有效减少功率损耗并降低温升，这对便携式设备和高密度电源模块尤为重要。由于采用肖特基结构，该器件没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复时间（trr），这意味着在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，特别适用于高频DC-DC变换器和同步整流辅助电路。
　　其次，10SS150M具备出色的热稳定性与环境适应能力。其工作结温范围可达-65°C至+125°C，可在恶劣温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等严苛应用场景。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级（MSL-1）认证，确保在回流焊和长期使用过程中保持性能稳定。SMA封装具有良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可进一步提升热传导效率。
　　再者，该二极管具有较强的抗浪涌能力，峰值正向浪涌电流可达30A（单脉冲，8.3ms半正弦波），能够在电源启动或负载突变时有效应对瞬态过电流冲击，提高系统鲁棒性。此外，器件符合RoHS和REACH环保标准，不含铅和其他有害物质，支持绿色制造流程。其表面贴装封装兼容自动贴片机和回流焊接工艺，有利于大规模生产，提升制造效率和产品一致性。

10SS150M广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于次级侧整流环节，尤其是在低输出电压、高电流的应用场景下，其低VF特性可显著提升转换效率。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器和LED驱动电源中，10SS150M可用于同步整流的旁路二极管或续流二极管，优化动态响应并减少能量损失。
　　在DC-DC转换器模块中，该器件作为续流二极管或防倒灌二极管使用，能够防止电感反电动势损坏主控芯片，并在轻载或关断状态下提供电流通路。其快速响应特性有助于提高环路稳定性，减少输出电压波动。此外，在逆变器和UPS不间断电源系统中，10SS150M可用于桥式整流或钳位保护电路，抑制电压尖峰，保护功率开关器件如MOSFET或IGBT。
　　该二极管也适用于电池管理系统（BMS）中的极性反接保护电路，防止因误接电源导致设备损坏。在汽车电子领域，尽管其额定温度上限为+125°C，但在部分非引擎舱应用如车载信息娱乐系统、车身控制模块中仍可安全使用。此外，工业控制板、通信电源模块、消费类电子产品主板上的电压路径隔离和电源切换电路也是其典型应用场景。凭借高可靠性和紧凑封装，10SS150M成为众多中低功率电源设计中的优选器件。

SB10150, MBR1150, B1150, SS150