BUL128D 时间：2025/7/22 22:01:17 阅读：7

BUL128D 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专门设计用于高电流和高功率的应用，例如电源转换器、电机控制、负载开关和DC-DC转换器等。它具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于需要高效、可靠开关性能的电源管理场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏源击穿电压（VDS）：600V
　　栅源击穿电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　最大功耗（PD）：75W

特性

BUL128D MOSFET具有多项优良的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其600V的高漏源击穿电压（VDS）使其适用于高电压系统，例如工业电源和电机驱动器。其次，0.45Ω的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，减少散热需求。此外，该器件具备较高的栅极电荷（Qg），确保其在开关过程中具有良好的稳定性和抗干扰能力。BUL128D采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于PCB板安装并能承受较高的机械应力。
　　在可靠性方面，BUL128D具有优良的热稳定性和耐用性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和汽车环境。其±30V的栅源电压容限也提高了其在高压和噪声环境中的稳定性，减少了栅极损坏的风险。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路，能够有效降低开关损耗并提升整体系统性能。

应用

BUL128D广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、LED驱动器、电池充电器、负载开关和功率因数校正（PFC）电路。在电机控制方面，该MOSFET可作为H桥电路中的开关元件，实现电机的正反转控制。在电源管理系统中，BUL128D可用于构建高效能的同步整流器和稳压器。此外，在汽车电子中，它也可用于车载充电系统和电池管理系统，确保车辆电子系统的稳定运行。