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PEMD17,115 发布时间 时间:2025/9/14 6:35:39 查看 阅读:7

PEMD17,115是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双极性晶体管阵列,常用于工业控制、电源管理和逻辑电路设计中。该器件集成了多个晶体管,能够提供高可靠性和紧凑的电路设计。

参数

类型:晶体管阵列
  晶体管类型:NPN/PNP混合
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大基极电流:5mA
  功耗:300mW
  封装类型:DIP-16
  工作温度范围:-55°C至125°C

特性

PEMD17,115晶体管阵列具有集成多个晶体管的功能,适合用于复杂的逻辑电路设计。该器件的高耐压和较大的电流承载能力使其适用于各种工业控制应用。其DIP-16封装形式便于插装和焊接,适合在原型设计和小批量生产中使用。此外,该器件具有良好的热稳定性和抗干扰能力,能够在较宽的温度范围内可靠工作。

应用

该器件常用于工业自动化控制系统、继电器驱动电路、电源管理模块以及逻辑控制电路中。由于其高可靠性,也常用于汽车电子和消费电子中的信号处理和放大应用。

替代型号

ULN2003A, MC1413B, TIP120

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PEMD17,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058922115PEMD17 T/RPEMD17 T/R-ND