类型：NPN双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作点不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-343

PUMB10F晶体管阵列具有多项优异的电气和物理特性，使其在各种高性能电子系统中表现出色。首先，其两个集成的NPN晶体管共享相同的封装，不仅节省了PCB空间，还简化了电路设计和布局。其次，晶体管具有较高的电流增益（hFE），范围从110到800，这取决于偏置条件，确保了良好的信号放大能力。此外，其增益带宽积达到250MHz，适用于中高频信号放大和高速开关应用。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为100V，最大集电极电流为100mA，最大功率耗散为300mW，能够胜任中等功率水平的电路需求。PUMB10F采用SOT-343小型封装，具有良好的热稳定性和抗热阻能力，适合在高温环境下运行。此外，其工作温度范围为-55°C至+150°C，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
　　由于其紧凑的设计和优异的电气性能，PUMB10F在多个行业中得到了广泛应用。它不仅适用于常见的晶体管应用，如开关电路、信号放大和逻辑电平转换，还适用于对空间和性能都有较高要求的嵌入式系统和便携式设备。

PUMB10F晶体管阵列适用于多种电子系统和模块，尤其在需要紧凑设计和中等功率处理能力的应用中表现出色。常见应用包括电源管理电路、电机驱动器、LED驱动、继电器和负载开关控制、传感器接口电路以及音频放大器的前置级放大。
　　在汽车电子领域，PUMB10F可用于车身控制模块、车载娱乐系统和LED照明控制。在工业自动化和控制设备中，该器件可用于PLC输入/输出接口、继电器驱动和小型电机控制。此外，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，PUMB10F也常用于电池管理、信号放大和电平转换电路。
　　得益于其高频响应和紧凑封装，PUMB10F还广泛用于无线通信模块、RF放大器前端和各种低噪声放大电路中，为无线传输系统提供可靠的信号增强功能。

BC847系列、MMBT3904、2N3904、BC547、PMBF10F