PUMB1 时间：2025/9/15 2:12:22 阅读：10

PUMB1 是一款由英飞凌（Infineon）推出的功率 MOSFET 驱动器集成电路，专为高边（High-Side）开关应用而设计。该芯片常用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域，适用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT（绝缘栅双极晶体管）。PUMB1 采用半桥（Half-Bridge）驱动结构，具备高电压耐受能力、快速开关响应以及过流保护等特性，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。其封装形式通常为小型化表面贴装封装（如 PG-TSDSO-14-11 或类似），便于集成于各种紧凑型电路设计中。

参数

工作电压范围：4.75V 至 20V
　　输出驱动电流：最高可达 2A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　高边驱动电压能力：支持高达 100V 的浮动电压
　　输入信号兼容性：TTL 和 CMOS 电平兼容
　　死区时间控制：内部集成
　　封装类型：TSSOP-14 或 DSO-14
　　驱动延迟时间：典型值为 30ns（上升沿）和 35ns（下降沿）
　　最大开关频率：可达 1MHz
　　过流保护阈值：典型值为 1.45V（外部可调）

特性

PUMB1 的核心特性之一是其高边驱动能力，使其能够有效驱动高压侧的功率 MOSFET，广泛适用于 DC-DC 转换器、H 桥电机驱动、电源开关等应用。其内置的死区时间控制机制可以有效防止上下桥臂同时导通导致的短路风险，从而提升系统的可靠性和稳定性。
　　此外，PUMB1 提供了强大的保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）以及过温保护（OTP），确保在异常工作条件下能够自动关闭输出，保护功率器件和系统安全。
　　芯片的输入端兼容 TTL 和 CMOS 电平，便于与微控制器或其他逻辑电路连接，简化了设计流程。其低功耗设计和高效的驱动能力使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高整体系统效率。
　　PUMB1 还具有快速的传播延迟和低延迟偏差，确保上下桥臂的精确同步，从而降低电磁干扰（EMI）和开关损耗。其浮动高边驱动结构支持高达 100V 的工作电压，适应多种高压应用需求。

应用

PUMB1 广泛应用于各种需要高边驱动的功率转换系统中，包括但不限于以下领域：
　　在汽车电子中，PUMB1 常用于电动助力转向系统（EPS）、电动水泵、风扇控制器、车载逆变器以及电池管理系统（BMS）中的 MOSFET 驱动。
　　在工业控制方面，PUMB1 适用于伺服电机驱动、H 桥控制、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）以及各种工业自动化设备中的功率开关控制。
　　在消费电子与新能源领域，PUMB1 可用于智能家电、太阳能逆变器、储能系统以及各种电源管理模块中的高边开关控制。
　　此外，由于其具备良好的热稳定性和过载保护能力，PUMB1 也适用于需要长时间运行和高可靠性的工业级应用。