时间：2025/12/25 10:56:21
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PTZTE253.9B是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装齐纳二极管，专为瞬态电压抑制和过压保护应用而设计。该器件属于Zenap?系列，采用先进的封装技术，能够在短时间内吸收高能量的瞬态脉冲，从而保护下游敏感电子元件免受浪涌、静电放电（ESD）和其他过压事件的损害。PTZTE253.9B的标称击穿电压为3.9V，在正常工作条件下表现为高阻抗状态，一旦输入电压超过其阈值，便会迅速切换至低阻抗导通模式，将多余能量引导至地线，确保系统电压维持在安全范围内。
该器件广泛应用于便携式消费电子产品、通信接口、电源管理电路以及工业控制系统中，特别适用于USB端口、I/O线路、音频/视频接口等需要可靠ESD防护的场合。其小型化DFN1006-2L封装不仅节省PCB空间，还具备优良的热性能和电气连接可靠性，适合自动化贴片生产流程。PTZTE253.9B符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4-2 Level 4（接触放电±8kV，空气放电±15kV）等国际电磁兼容性测试认证，展现出卓越的抗干扰能力和长期稳定性。
型号：PTZTE253.9B
制造商：STMicroelectronics
器件类型：齐纳二极管 / 瞬态电压抑制二极管（TVS）
封装类型：DFN1006-2L
通道数：单通道
反向截止电压（VRWM）：3.9 V
击穿电压（VBR）：典型值4.3 V，最大值4.7 V
钳位电压（VC）：最大9.0 V（在IPP = 1 A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：最大1 A
峰值脉冲功率（Ppk）：30 W（8/20 μs电流波形）
漏电流（IR）：最大1 μA @ VRWM = 3.9 V
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围：-65 °C 至 +150 °C
安装方式：表面贴装（SMD）
符合标准：IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4, RoHS合规
PTZTE253.9B具备优异的瞬态电压抑制能力，能够有效应对各种快速上升的过压事件，如静电放电（ESD）、电感负载开关引起的电压尖峰以及雷击感应浪涌。其响应时间极短，通常小于1纳秒，可在电压异常发生的瞬间立即动作，防止高压传导至后续电路。这种高速响应特性使其成为现代高速数据接口的理想保护器件，例如用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的USB、HDMI或触摸屏信号线。
该器件采用低电容设计，典型值低于10 pF，最大限度减少了对高频信号完整性的影响，避免造成信号衰减或失真，特别适合高速数字通信链路的保护需求。此外，其低钳位电压特性意味着在触发保护时，输出端承受的残余电压较低，进一步提升了被保护IC的安全裕度。结合其30W的峰值脉冲功率处理能力，PTZTE253.9B能在多次重复性浪涌冲击下保持性能稳定，具有出色的耐用性和长期可靠性。
DFN1006-2L封装尺寸仅为1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm，占用极小的PCB面积，适应高密度布局要求，同时提供良好的散热路径，有助于将瞬态能量快速散发，提升整体系统热稳定性。该封装无引脚设计也降低了寄生电感，增强了高频下的保护效果。器件内部结构经过优化，确保在宽温度范围内保持一致的电气特性，即使在极端环境条件下也能可靠工作。
PTZTE253.9B主要用于各类需要防静电和瞬态过压保护的电子系统中。常见应用场景包括移动终端设备的USB OTG端口、充电接口、耳机插孔及数据传输线路，用以抵御人体接触产生的ESD脉冲。在工业控制领域，它可用于PLC模块、传感器接口和通信总线（如RS-232、RS-485）的前端保护，提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。此外，在智能家居产品、物联网节点、便携医疗设备和汽车电子外围电路中，该器件也可作为关键的初级保护元件，防止外部干扰导致功能异常或芯片损坏。
由于其低电容与快速响应特性，PTZTE253.9B尤其适合部署在高速信号路径上，例如I2C、SPI、GPIO等数字接口的ESD防护。在电源轨保护方面，它可以并联于低压直流供电线路（如3.3V或5V系统），防止因电源插拔或反接引发的瞬态高压损伤后级稳压器或MCU。整体而言，该器件适用于所有对空间、性能和可靠性有较高要求的消费类、工业类及汽车电子应用场合。
PESD3V3X1BL-MN
SPHV3V3-4
