时间：2025/7/10 2:28:53
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PTZTE2518B是一种高效的N沟道MOSFET功率晶体管，专为开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。
PTZTE2518B使用TO-220封装形式，便于散热管理，适合在高温环境下运行。其出色的电气性能使其成为多种功率控制电路中的理想选择。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：34A
导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ
栅极电荷(Qg)：79nC
总功耗(PD)：110W
工作温度范围(TJ)：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻RDS(on)，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关特性，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 内置反向二极管，支持续流功能。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. TO-220封装提供良好的散热性能。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的各种功率控制应用。
IRFZ44N, FDP58N06L, STP36NF06L
