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MMBT5089LT1G 发布时间 时间:2025/6/18 11:01:55 查看 阅读:4

MMBT5089LT1G是一款NPN型的双极性晶体管(BJT),广泛应用于信号放大和开关电路。该晶体管采用SOT-23封装,具有小尺寸、低功耗和高频率响应的特点,适用于各种便携式设备和消费类电子产品中的通用放大和开关功能。
  这款晶体管在设计上优化了高频性能和低噪声特性,使其成为音频设备、无线通信模块以及电源管理电路的理想选择。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):150mA
  功率耗散(Ptot):350mW
  直流电流增益(hFE):100(最小值,典型值为300)
  过渡频率(fT):250MHz
  结温范围:-55℃至150℃

特性

MMBT5089LT1G具有以下主要特性:
  1. 高增益:其直流电流增益(hFE)范围宽,确保稳定的信号放大能力。
  2. 小型化设计:采用SOT-23封装,适合紧凑型设计需求。
  3. 高频率响应:过渡频率高达250MHz,能够支持高频应用。
  4. 稳定性好:在宽温度范围内保持良好的电气性能。
  5. 低饱和电压:可实现高效的开关操作,降低能耗。
  6. 高可靠性:经过严格的测试和筛选,确保长时间运行的稳定性。

应用

MMBT5089LT1G常用于以下应用场景:
  1. 信号放大器:如音频放大器、传感器信号放大等。
  2. 开关电路:用于控制LED、继电器或小型电机。
  3. 电源管理:作为线性稳压器或DC-DC转换器中的关键元件。
  4. 无线通信模块:用于射频前端电路中的信号处理。
  5. 消费类电子产品:例如手机、平板电脑、笔记本电脑及智能家居设备中的各类电路。

替代型号

2N5089
  BFR96
  MPSA06

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MMBT5089LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 100µA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT5089LT1GOSMMBT5089LT1GOS-NDMMBT5089LT1GOSTR