时间:2025/12/25 10:57:15
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PTZ9.1B是一种齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件属于表面贴装(SOD-323封装)的小型化元器件,适合在空间受限的电路板设计中使用。其标称齐纳电压为9.1V,容差通常在±5%范围内,能够在一定的电流范围内提供稳定的反向击穿电压。PTZ9.1B由多家半导体制造商生产或兼容生产,具有良好的温度稳定性和长期可靠性,广泛应用于模拟信号调理、电源监控、过压保护以及基准电压源等场景。
该器件的工作原理基于PN结的反向击穿特性,在达到设定的齐纳电压后,即使输入电流发生变化,其两端电压仍能保持相对恒定,从而实现稳压功能。由于采用SOD-323封装,PTZ9.1B具有较小的寄生电感和电容,适用于高频或快速响应的电路环境。此外,该型号符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代电子制造的需求。
类型:齐纳二极管
极性:单向
封装/外壳:SOD-323
标称齐纳电压:9.1V
电压容差:±5%
测试电流:5mA
最大耗散功率:200mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
热阻:625°C/W
反向漏电流:≤1μA @ VR=1V
PTZ9.1B齐纳二极管具备优异的电压稳定性能,其核心特性之一是在额定工作条件下能够提供精确且可重复的9.1V齐纳电压。这一电压值位于常见的齐纳电压序列中,因其良好的温度系数平衡而被广泛选用。在约6V至10V之间的齐纳二极管中,9.1V附近的器件往往具有最低的温度系数,这意味着其电压随温度变化的漂移最小,特别适合作为精密参考源使用。该器件在5mA的测试电流下进行参数标定,确保在此工作点附近具有最佳的动态阻抗表现,典型值可低至20Ω以下,从而有效抑制输出电压波动。
PTZ9.1B采用SOD-323小型表面贴装封装,尺寸紧凑(典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm),非常适合高密度PCB布局,尤其适用于便携式设备、通信模块和消费类电子产品。该封装形式还具备良好的散热性能与电气连接稳定性,支持回流焊和波峰焊等多种贴片工艺。器件的最大功耗为200mW,在适当的散热条件下可长时间稳定运行。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C,使其能在严苛的工业和汽车环境中可靠工作。
该齐纳二极管具有较低的动态阻抗和反向漏电流,在小信号应用中表现出色。例如,在ADC的参考电压生成或比较器的阈值设定中,PTZ9.1B能够提供稳定的偏置电压,减少系统误差。同时,其快速响应能力也使其可用于瞬态电压抑制辅助电路中。由于符合RoHS指令并支持无铅焊接,PTZ9.1B满足现代绿色电子产品的环保要求,是传统通孔式稳压二极管的理想替代品。
PTZ9.1B广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子系统中。常见用途包括电源电压监测电路中的基准源,用于检测系统是否处于正常供电范围;在低压模拟电路中作为运算放大器或比较器的偏置电压提供者,确保信号链路的稳定性;也可用于过压保护电路中,配合晶体管或可控硅构成简单的电压钳位装置,防止敏感元件受到过高电压冲击。
在电池供电设备如智能仪表、无线传感器节点和便携式医疗设备中,PTZ9.1B常被用来构建低功耗电压检测电路,以判断电池电量状态或触发低电压警告。此外,在工业控制系统的信号隔离模块、PLC输入接口和数据采集前端中,该器件可用于电平转换和噪声抑制,提高系统的抗干扰能力。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居控制器中,PTZ9.1B可用于摄像头模组、音频编解码器或其他子模块的局部稳压需求。由于其小型化封装和高可靠性,也非常适合用于汽车电子中的车载娱乐系统、车身控制模块和传感器供电电路中,满足车规级环境下的长期稳定运行要求。
BZT52C9V1 SOD-323
PZM9.1 SOD-323
MMBZ5238B SOD-323
SZMZ9.1 SOD-323
ZMM9V1 SOD-323