类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：200V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：16A（在25°C）
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：50nC（典型值）
　　封装类型：TO-220

V4220M MOSFET具有多个关键特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。首先，其高耐压能力（200V Vds）允许其在高压环境中稳定工作，适用于多种电源拓扑结构，如升压、降压和反激式转换器。其次，低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率，同时降低了工作时的发热。此外，该器件具有较高的连续漏极电流额定值（16A），能够支持较大功率负载的控制和切换。
　　在动态性能方面，V4220M 具有适中的栅极电荷（Qg），这有助于在高频开关应用中保持较低的驱动损耗。栅极-源极电压额定值为±30V，提供了良好的过压保护能力，防止因驱动电路异常而损坏器件。此外，该器件的工作温度范围宽，从-55°C到+175°C，适用于严苛的工业环境，如工业自动化、通信设备和户外电子系统。
　　在封装方面，TO-220封装不仅提供了良好的热管理性能，还具备较高的机械强度和易于安装的特性，适合通过孔插装（THT）工艺，广泛应用于PCB设计中。

V4220M MOSFET主要应用于各种需要高效功率控制的场合。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中，作为主开关器件，实现高效率的能量转换。在电机控制方面，该器件可用于H桥驱动电路中，控制直流电机或步进电机的转向和速度调节。此外，V4220M也适用于电池管理系统（BMS）、负载开关和热插拔电路，用于控制大电流负载的通断。
　　在工业自动化设备中，V4220M可作为固态继电器的替代方案，提供更快的响应速度和更长的使用寿命。同时，它也可用于LED照明系统中的恒流驱动电路，确保光源的稳定性和高效能。在通信设备中，该器件可用于电源模块和热备份系统，保障设备在高负载条件下的稳定运行。

IRF2807, FDPF2820, STP16NF20