时间：2025/4/29 19:16:20
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PTVSHC3N15VU 是一款基于超结技术的高压功率 MOSFET，专为高效率和高频率开关应用设计。该器件采用了先进的制程工艺，能够提供较低的导通电阻和快速的开关性能，适合于电源适配器、LED 驱动器以及 DC-DC 转换器等应用领域。
超结结构使得该器件能够在高压条件下保持出色的能效表现，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
型号：PTVSHC3N15VU
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：650 V
RDS(on)（导通电阻）：720 mΩ
ID（持续漏电流）：4.8 A
Qg（栅极电荷）：18 nC
EAS（雪崩能量）：1.0 J
VGS（栅源极电压）：±20 V
fT（特征频率）：230 kHz
结温范围：-55°C to +175°C
PTVSHC3N15VU 的主要特点是其基于超结技术的设计，这一设计显著降低了导通电阻 RDS(on)，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。同时，该器件具有较高的击穿电压（650V），适用于高压应用场景。
此外，它还拥有快速开关能力，低栅极电荷 Qg 和相对较小的寄生电容，这些特点使其在高频开关电路中表现出色。该器件还支持较高的雪崩能量（EAS=1.0J），增强了其在异常工作条件下的鲁棒性。
由于采用了优化的封装形式，PTVSHC3N15VU 能够有效地散发热量，确保长期运行时的可靠性。总体而言，这款 MOSFET 结合了高效率、高可靠性和紧凑的尺寸，非常适合各种电力电子设备。
PTVSHC3N15VU 广泛应用于需要高效功率转换和高电压处理能力的场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. LED 照明驱动器
3. DC-DC 转换器
4. 电机驱动控制
5. 太阳能微逆变器
6. PFC（功率因数校正）电路
7. 充电器和适配器
其高耐压和低导通电阻的特性，使其特别适合于要求高能效和小体积的设计方案。
PTVSHC3N15VDU, FDP18N65A, IPW60R099P7
