20TDC22MYFB是一款基于MOSFET技术的功率晶体管,主要用于开关和放大应用。该器件采用TO-252表面贴装封装形式,适合高密度电路板设计。其低导通电阻特性有助于降低功耗,提高效率,广泛应用于消费电子、工业控制及电源管理领域。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:41A
导通电阻:4.5mΩ
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至175℃
20TDC22MYFB具有较低的导通电阻,能够有效减少能量损耗。
同时,其快速开关性能使其适用于高频应用场景。
具备出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
该器件还拥有较高的电流承载能力,可满足大功率需求的应用场景。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
开关电源(SMPS)中的同步整流器
电机驱动电路
负载切换模块
电池保护电路
DC-DC转换器
逆变器等需要高效功率管理的场合
20TDC22MY, IRF20N06L, FDP18N06