时间：2025/6/22 0:21:35
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PTVSHC2QN26VUT 是一款高压高速 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 N 沟道增强型设计。该器件适用于高电压和高频率的应用场合，具有较低的导通电阻和快速开关能力，能够显著提高系统效率并减少功耗。
其封装形式为 TO-263-3，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合功率转换、电机驱动以及负载开关等应用。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：6.5Ω
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
PTVSHC2QN26VUT 具有以下特点：
1. 高击穿电压，可承受高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻，在额定条件下仅为 6.5Ω，有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度，能够支持高频开关应用。
4. 内置 ESD 保护，提高了器件在静电敏感环境下的可靠性。
5. 封装采用 TO-263-3，提供优秀的热性能和电气连接稳定性。
6. 工作温度范围宽广，适应恶劣环境条件。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的高频开关。
2. 逆变器和电机驱动电路中的功率开关。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 能量回收系统中的高效功率管理。
5. 工业自动化设备中的高压控制模块。
6. 电池管理系统 (BMS) 和电动车中的功率分配电路。
IRFZ44N, FQP16N20, STP16NF06
