时间：2025/7/12 19:59:07
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PTVSHC2EN6V3UA 是一款基于超结技术的高压 MOSFET，适用于高频开关应用和高功率密度场景。该器件采用先进的制程工艺，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适合在严苛环境下使用。其封装形式为 TO-252(DPAK)，便于表面贴装，同时提供高效的散热能力。
型号：PTVSHC2EN6V3UA
类型：MOSFET（P沟道）
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.8mΩ（典型值，VGS=-10V，ID=10A）
ID（连续漏极电流）：19A
VGS（栅源极电压）：±20V
fSW（开关频率）：高达1MHz
功耗：根据应用条件动态变化
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装：TO-252 (DPAK)
PTVSHC2EN6V3UA 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻（RDS(on)），能够有效减少传导损耗。
2. 高效的开关性能，支持高频操作，非常适合于 DC-DC 转换器和同步整流应用。
3. 内置超结技术，显著提高功率密度并降低热阻。
4. 支持高电流操作，具备出色的可靠性和稳定性。
5. 封装设计优化了热管理，可确保长期稳定运行。
6. 宽工作温度范围，使其适用于各种工业环境和汽车应用。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高效同步整流。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电机控制。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. LED 驱动电路和光伏逆变器中的功率管理单元。
6. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品的电源解决方案。
PTVSHC2DN6V3UA, PTVSJC2EN6V3UA
