您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PTVSHC1DF9VU

PTVSHC1DF9VU 发布时间 时间:2025/7/8 9:23:28 查看 阅读:10

PTVSHC1DF9VU 是一款高性能的 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,主要用于保护电路免受过电压瞬变的影响,例如静电放电(ESD)、雷击和开关噪声等。它具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点,适用于高速数据线和射频线路的保护。
  该器件采用 SOD-323 封装形式,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。

参数

最大反向工作电压:9V
  击穿电压:10.6V
  最大箝位电压:16.4V
  峰值脉冲电流:14A
  结电容:7pF
  响应时间:1ps
  漏电流:1uA(最大值,@VRWM=9V)
  封装:SOD-323

特性

PTVSHC1DF9VU 的主要特性包括:
  1. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态过电压。
  2. 极低的电容值,适合高速信号线路保护。
  3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 国际标准。
  4. 紧凑的封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。
  6. 能够承受多次重复的浪涌冲击而不会损坏。
  7. 可靠性高,能够在严苛环境下长期稳定运行。

应用

PTVSHC1DF9VU 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和其他便携式电子设备的数据接口保护。
  2. USB、HDMI 和其他高速通信端口的 ESD 和过压保护。
  3. 工业自动化设备中的信号线路保护。
  4. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制。
  5. 无线通信模块和射频前端的保护。
  6. 家用电器和消费类电子产品中的电路保护功能。

替代型号

PESD1CAN, SM712, SMAJ9.0A

PTVSHC1DF9VU推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价