时间：2025/5/7 9:30:34
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IPP040N06N3G是英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于各种高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他功率管理应用。
该器件的额定电压为60V，最大持续漏极电流可达40A，适用于要求高效率和紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大漏极电流：40A
栅极阈值电压：2.8V~4.2V
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
总栅极电荷：27nC
输入电容：1040pF
工作结温范围：-55℃~175℃
IPP040N06N3G采用沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，从而提升系统效率。同时，其快速的开关速度和较低的栅极电荷使得开关损耗也得到了优化。
此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
其封装形式为TO-247，具备较大的散热面积，有助于在高功率应用中实现高效的热管理。
IPP040N06N3G广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 电动工具
5. 工业自动化设备
6. 太阳能逆变器
7. 电动汽车中的功率控制单元
IPP040N06S3G, IPP040N06N3L
