时间：2025/12/23 10:15:22
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PTVSHC1DF17VU是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压MOSFET保护晶体管，主要用于过压和反向电压保护应用。该器件采用DFN10封装形式，具有低导通电阻、快速开关特性和高浪涌能力等特点，适用于消费类电子、工业设备以及汽车电子中的电源管理电路。
这款晶体管设计用于在系统启动时防止瞬态过压对后级电路的损害，并且能够承受反向电池连接等异常情况。其紧凑的封装使其非常适合空间受限的应用场景。
类型：MOSFET保护晶体管
封装：DFN10
最大工作电压：28V
持续电流：3.5A
导通电阻：90mΩ（典型值）
响应时间：<1μs
结温范围：-40℃至150℃
PTVSHC1DF17VU具备以下主要特性：
1. 高浪涌电流能力，可有效处理短暂的过流事件。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗并提高效率。
3. 快速的响应时间，能够在瞬态条件下迅速动作以保护下游电路。
4. 内置过热关断功能，增强可靠性。
5. 符合AEC-Q101标准，适合汽车级应用。
6. 无铅封装，符合RoHS要求。
7. 小型化设计，节省PCB空间。
该器件广泛应用于需要过压保护和反向电压保护的场合，包括但不限于：
1. USB充电端口保护。
2. 汽车电子中的电池输入保护。
3. 工业控制系统的电源输入保护。
4. 消费类电子产品中的直流适配器接口保护。
5. 通信设备中的电源保护模块。
6. 移动设备的充电保护电路。
由于其出色的性能和可靠性，PTVSHC1DF17VU成为许多设计工程师在构建安全可靠的电源管理系统时的首选解决方案。
BTS3120LH,
PTVN20LFQ,
PSMN0R9-30PL
