时间：2025/12/23 17:33:42
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PTVSHC1DF10VU 是一款基于硅技术的高速瞬态电压抑制器（TVS），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他过电压事件的影响而设计。该器件具有单向极性，适用于数据线和信号线的保护，能够有效抑制高达 25A 的峰值脉冲电流，并且其低电容特性不会显著影响线路信号完整性。
PTVSHC1DF10VU 的工作电压为 10V，采用紧凑的 SOD-323 封装形式，使其非常适合空间受限的应用场景。
工作电压：10V
峰值脉冲电流：25A
击穿电压：12.8V
最大反向漏电流：1μA
结电容：9pF
响应时间：1ps
封装形式：SOD-323
PTVSHC1DF10VU 提供了卓越的过压保护性能，同时具备以下特点：
1. 高速响应：响应时间仅为 1ps，可迅速抑制瞬态过电压，从而保护下游电路。
2. 低电容设计：结电容仅为 9pF，对高频信号线路的影响极小，特别适合高速数据传输应用。
3. 高可靠性：通过 IEC 61000-4-2 ESD 测试（接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV），确保在恶劣电磁环境下保持稳定性能。
4. 紧凑封装：采用 SOD-323 封装，节省 PCB 布局空间，便于高密度设计。
5. 单向极性：适用于需要单向保护的信号路径或电源输入端口。
PTVSHC1DF10VU 广泛应用于各种需要过压保护的场合，包括但不限于：
1. USB、HDMI 和其他高速数据接口的 ESD 保护。
2. 移动设备（如智能手机、平板电脑）中的天线端口保护。
3. 工业自动化设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN/LIN 总线保护。
5. 通信设备中的射频前端保护。
由于其低电容和高速响应能力，该器件尤其适合高速信号线路的保护需求。
PESD10VB1Y, SM10A, SMAJ10A
