时间：2025/7/12 13:56:51
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PTVSHC1DF100VU 是一款基于超结技术（Super Junction Technology）的高压 MOSFET，适用于高效率功率转换应用。该器件采用 DPAK 封装形式，具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能，使其在各种开关电源、电机驱动和工业电子领域中表现出色。
超结技术通过优化单元结构显著降低器件导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现高效能表现。此外，其耐压能力高达 650V，能够承受较高的电压波动，确保系统运行稳定。
最大漏源电压：650V
连续漏电流：10A
导通电阻：135mΩ
栅源电压：±20V
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
1. 超结技术带来低导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，具备低栅极电荷和输出电容，适合高频应用。
3. 高击穿电压（650V），适用于严苛环境下的高电压场景。
4. 内置雪崩保护功能，提升可靠性并增强抗浪涌能力。
5. 具备优异的热性能，支持更高的功率密度。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动与控制电路。
3. 电池充电器及逆变器设计。
4. PFC（功率因数校正）电路中的功率开关。
5. 各类家用电器和工业设备中的功率管理模块。
6. 高效 LED 驱动器和照明系统。
IPW60R180PFDG, FDP16N65A, IRFB7440TRPBF
