时间：2025/9/14 19:18:51
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PTVS7V0S1UR,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件主要用于通用放大和开关应用。其封装形式为 SOT-223，适合在需要较高电流和散热能力的应用中使用。该晶体管具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降，适用于多种中低功率电子电路。
类型：NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压（Vce）：40V
集电极-基极电压（Vcb）：50V
发射极-基极电压（Veb）：5V
集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
频率响应（fT）：100MHz
封装类型：SOT-223
PTVS7V0S1UR,115 是一款性能稳定的 NPN 型晶体管，具有优异的增益特性和较低的饱和压降。该器件的 hFE 值范围为 110 至 800，具体取决于测试电流和电压条件，因此可以适应多种放大需求。其最大集电极电流为 100mA，适用于小型开关和放大电路。
此外，该晶体管的频率响应可达 100MHz，适合用于中频放大器和射频应用。SOT-223 封装提供了良好的散热性能，使得该器件可以在较高的功率条件下稳定工作。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适用于各种工业级环境。
PTVS7V0S1UR,115 的设计确保了其在各种电路中的可靠性，特别是在需要稳定增益和低失真的应用中表现出色。该晶体管的封装方式也便于安装在 PCB 上，并具有较好的焊接稳定性。
PTVS7V0S1UR,115 主要用于通用晶体管放大和开关电路。例如，在音频放大器中，它可以用作前置放大器以增强信号。在数字电路中，该晶体管可以作为开关元件控制负载的通断。由于其良好的频率响应，它也常用于射频（RF）信号放大和调制电路。
此外，该晶体管可以用于传感器信号调理电路、电源管理电路以及各种模拟和数字接口电路。在工业控制、消费电子和通信设备中，PTVS7V0S1UR,115 都有广泛的应用场景。
BC847, 2N3904, PN2222
