类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值10.5mΩ（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：310W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB

2491AR2C MOSFET具有多项关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下，能够最大限度地减少功率损耗，从而提升系统整体效率。该器件的RDS(on)典型值为10.5mΩ，这一参数在同类产品中处于领先地位，适用于要求苛刻的高功率应用。
　　其次，2491AR2C支持高达80A的连续漏极电流，使其能够应对高负载条件下的电流需求，非常适合用于电机控制、电源转换和负载开关等应用。此外，该MOSFET的栅极驱动电压为10V，能够在常见的电源管理系统中轻松集成。

2491AR2C MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备等。在开关电源中，该器件可用于高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和高电流能力可显著提升系统效率，降低热量产生。此外，在电机控制应用中，2491AR2C能够承受高启动电流并提供稳定的开关性能，确保电机运行平稳可靠。由于其优异的热性能和环境适应能力，2491AR2C也非常适合用于车载电子系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及工业自动化控制系统等高要求应用场景。

SiHF60N80E、IRF1405、FDP6680、FDV303N、STP80NF55