时间：2025/9/14 19:12:54
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PTVS48VP1UP,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的双路双向电压抑制二极管（TVS，Transient Voltage Suppressor），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌及其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用DFN（Dual Flat No-leads）封装，具有低电容特性，适用于高速数据线路的保护，例如USB、HDMI和以太网接口。PTVS48VP1UP,115的双路双向设计允许其在两个通道上同时提供对地和对电源的瞬态电压抑制，使其非常适合用于多路信号线保护的应用。
类型：双向TVS二极管
通道数：2路
反向关态电压（VRWM）：48V
击穿电压（VBR）：最小53.3V，典型56V，最大58.9V
钳位电压（VC）：最大90V（在IEC 61000-4-2 8kV测试条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：8A（8/20μs波形）
响应时间（tRESP）：小于1ns
封装类型：DFN1010BD-6（6引脚DFN）
工作温度范围：-55°C至+150°C
ESD保护等级：IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）
IEC 61000-4-5浪涌保护等级：1A（1.2/50μs波形）
PTVS48VP1UP,115具备多项优异的电气和机械特性，适合在多种工业和消费类应用中使用。
首先，其双向保护结构允许在正负两个方向上提供瞬态电压抑制，适用于交流信号线路或双向数据线保护。这种设计使其能够有效应对各种极性的瞬态电压事件，包括ESD冲击和雷击浪涌。
其次，该器件具有较低的寄生电容（通常低于1pF），这对高速数据线路的完整性至关重要。由于其低电容特性，PTVS48VP1UP,115非常适合用于保护USB 2.0、HDMI、DisplayPort等高频信号接口，而不会引起信号失真或衰减。
此外，PTVS48VP1UP,115的响应时间极短，通常在1纳秒以内，能够迅速响应瞬态电压事件，从而防止损坏下游电路。其高可靠性设计使其在多次浪涌冲击下仍能保持稳定的性能。
最后，该器件采用小型DFN1010BD-6封装，占用PCB空间小，便于在高密度电路设计中集成。该封装还提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化装配流程。
PTVS48VP1UP,115广泛应用于需要高水平ESD和浪涌保护的电子系统中。典型应用包括：
1. 通信设备：如路由器、交换机、基站等设备的信号输入/输出端口保护。
2. 工业控制系统：用于保护PLC、传感器和执行器接口免受工业环境中常见的瞬态电压干扰。
3. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的USB、HDMI、耳机插孔等外部接口的ESD防护。
4. 汽车电子系统：用于保护车载娱乐系统、导航设备和CAN总线接口。
5. 医疗设备：确保高灵敏度医疗仪器免受静电和瞬态电压影响，提高设备的可靠性和安全性。
6. 安防与监控系统：保护摄像头、视频传输线路等关键部件免受环境中的瞬态干扰。
PESD5V0S1BA,115; TPD3E001; ESDA6V1W5B; SMAJ58CA
