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MDMA50P1200TG 发布时间 时间:2025/8/6 3:00:35 查看 阅读:25

MDMA50P1200TG 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的高性能双极型晶体管(BJT)功率模块。该模块属于高功率、高可靠性的晶体管产品,适用于需要高电流和高电压的功率应用。MDMA50P1200TG 采用双极型技术,具有优异的导通性能和高耐压能力,常用于工业电机驱动、电源转换、逆变器以及大功率电子系统中。其设计目标是提供高效能、高可靠性和高集成度,同时确保良好的热管理和电气隔离。

参数

晶体类型:NPN 双极型晶体管(BJT)
  集电极-发射极电压(Vce):1200 V
  集电极电流(Ic):50 A
  功耗(Ptot):300 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247AC
  安装类型:通孔安装
  封装尺寸:约 15.8 x 10.3 x 4.7 mm(TO-247)
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  最大工作频率:100 kHz
  导通压降(Vce_sat):约 2.0 V(典型值)
  增益(hFE):在 Ic = 2 A、Vce = 5 V 时为 50-150
  热阻(Rth):约 0.4 °C/W(结到外壳)

特性

MDMA50P1200TG 的特性之一是其高耐压能力,集电极-发射极的最大电压可达 1200 V,这使得它非常适合用于高电压功率转换系统,如逆变器和电源模块。其高集电极电流能力(50 A)也确保了该晶体管能够处理大电流负载,从而适用于高功率电机控制和大功率开关电路。此外,该器件具有良好的导通性能,导通压降(Vce_sat)较低,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  另一个关键特性是其出色的热管理能力。该晶体管采用 TO-247 封装,具有良好的热导性能,能够有效散热,从而提高器件的可靠性和寿命。热阻(Rth)仅为 0.4 °C/W,意味着该器件在高负载下仍能保持较低的结温,避免过热损坏。
  MDMA50P1200TG 的封装设计也确保了良好的电气隔离和机械稳定性,适用于高功率工业环境。此外,该晶体管具有较宽的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),能够在极端温度条件下稳定运行,适用于恶劣工业环境下的应用。
  该晶体管还具有较高的增益(hFE),在 Ic = 2 A、Vce = 5 V 时,增益范围为 50-150,这意味着它可以有效地放大信号并驱动较大的负载。这对于需要高电流增益的应用(如功率放大器或开关电源)尤为重要。此外,该晶体管的最大工作频率为 100 kHz,适用于中高频功率转换应用,如DC-DC变换器和PWM控制电路。

应用

MDMA50P1200TG 广泛应用于各种高功率电子系统中。其主要应用包括工业电机驱动、逆变器、开关电源、UPS系统、电焊机、感应加热设备以及大功率电子负载控制。由于其高电压和高电流能力,该晶体管特别适用于需要高效能和高可靠性的工业自动化和能源管理系统。
  在电机驱动应用中,MDMA50P1200TG 可用于直流电机的H桥控制电路,提供高效的功率开关功能。其高增益和低导通压降特性使其能够有效地控制电机的转速和方向。在逆变器系统中,该晶体管可用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  在电源转换系统中,该晶体管可用于DC-DC变换器、AC-DC整流器以及功率因数校正(PFC)电路。其高频率响应特性使其适用于PWM控制,从而实现高效率的功率转换。此外,MDMA50P1200TG 还可用于工业加热系统,如高频感应加热设备,提供稳定的功率输出。

替代型号

STTH50L120DIKMA1, FGA40N120ANTD

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MDMA50P1200TG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格36 : ¥188.58722盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对串联
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)50A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.18 V @ 50 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 1200 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-240AA
  • 供应商器件封装TO-240AA