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PW5750-470MT 发布时间 时间:2025/12/28 1:18:18 查看 阅读:12

PW5750-470MT是一款由PWI(Power Integration)公司推出的高性能、高精度的同步整流控制器芯片,广泛应用于反激式开关电源(Flyback Converter)的次级侧同步整流控制。该器件采用先进的电流检测与栅极驱动技术,能够在宽输入电压和负载范围内实现高效能的能量转换,显著提升电源系统的整体效率,降低热损耗。PW5750-470MT特别适用于高能效要求的小功率至中等功率AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及工业电源模块等应用场景。该芯片封装形式为SOT-23-6或DFN等小型化封装,有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。其内部集成了多种保护功能,如过温保护、过流保护及短路保护等,增强了系统的可靠性与稳定性。此外,PW5750-470MT具备良好的EMI兼容性设计,能够有效减少电磁干扰,符合国际能效标准与环保要求。通过优化的驱动时序控制逻辑,该芯片可精准识别主开关管的关断时刻,及时开启同步整流MOSFET,避免体二极管导通带来的能量损失,从而在轻载到满载的全负载范围内均保持优异的转换效率。
  PW5750-470MT的工作频率范围宽,支持高达数百kHz的开关频率,适应高频化电源设计趋势。其内置的自供电电路可在启动阶段从输出端取电,简化了外部供电设计。同时,芯片具备快速响应能力,能够在动态负载变化下迅速调整驱动信号,维持稳定的输出性能。由于采用了先进的CMOS工艺制造,PW5750-470MT具有极低的静态功耗,有助于提升待机效率,满足能源之星(Energy Star)、DoE Level VI等严苛的能效法规要求。总体而言,PW5750-470MT是一款面向高效绿色电源设计的理想同步整流控制解决方案,兼具高性能、高可靠性和易用性特点。

参数

型号:PW5750-470MT
  类型:同步整流控制器
  封装:SOT-23-6 / DFN
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大工作电压:25V
  静态电流:≤ 1.2mA
  关断电流:≤ 10μA
  导通阈值电压:典型值 40mV
  关断阈值电压:典型值 -40mV
  传播延迟时间:约 50ns
  最大开关频率:≤ 500kHz
  驱动能力:最高可驱动 N沟道 MOSFET 栅极电容 ≤ 5nF
  内置保护功能:过温保护、过流保护、UVLO 欠压锁定

特性

PW5750-470MT具备先进的自适应同步整流控制机制,能够智能识别反激变换器中主开关管的关断时机,并在最合适的时刻开启次级侧的N沟道MOSFET,替代传统肖特基二极管进行整流,大幅降低导通损耗,提高系统效率,尤其是在低输出电压、大电流的应用中效果尤为显著。该芯片采用独特的电流检测方式,无需外部电流检测电阻,而是通过监测MOSFET的导通压降来判断负载状态,从而实现精确的导通与关断控制,避免误触发或交叉导通现象。这种无传感电流检测技术不仅降低了系统成本,还减少了因外部分立元件带来的误差与不稳定性。
  该器件具有出色的抗噪声能力,在高频开关环境下仍能稳定工作,得益于其内部集成的滤波电路和前沿消隐(Leading Edge Blank, LEB)功能,有效抑制了开关瞬态过程中产生的尖峰干扰,防止误关断或误开启同步整流管。此外,PW5750-470MT支持断续模式(DCM)、准谐振模式(QR)以及连续导通模式(CCM)等多种工作模式下的同步整流控制,适用范围广,兼容性强,可广泛用于不同拓扑结构的反激电源设计。
  芯片内部集成高压电平移位电路,可直接驱动高边配置的同步整流MOSFET,简化了外围电路设计。其输出驱动能力强,上升/下降时间短,确保MOSFET快速完全导通与关断,进一步减少开关损耗。同时,具备欠压锁定(UVLO)功能,当供电电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止异常工作;当芯片温度过高时,内部热保护机制会自动切断输出,待温度恢复后恢复正常运行,提升了系统的安全性与长期可靠性。整体设计注重节能与环保,静态功耗极低,符合现代绿色电源的发展方向。

应用

PW5750-470MT主要用于各类高效率反激式开关电源中的同步整流控制,典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的AC-DC充电器,尤其是追求高能效和小体积的设计方案。此外,它也广泛应用于USB PD快充适配器、多口充电站、智能家居设备电源模块以及LED照明驱动电源中,帮助实现更高的转换效率和更低的温升表现。在工业领域,该芯片可用于小型工控电源、继电器模块、传感器供电单元等对稳定性和效率有较高要求的场合。
  由于其支持宽范围的工作电压和多种工作模式,PW5750-470MT也可用于通用型离线式电源设计,适用于全球电网输入环境下的产品开发。在通信设备、消费类电子、物联网终端设备等领域,该芯片有助于满足日益严格的能效法规要求,如欧盟CoC Tier 2、美国DoE Level VI、Energy Star等认证标准。其小型封装形式使其非常适合空间受限的应用场景,例如超薄电源适配器、嵌入式电源模块等。配合合适的同步整流MOSFET,PW5750-470MT可在10W至65W功率范围内提供卓越的性能表现,是实现高效、低成本、高可靠性电源设计的关键组件之一。

替代型号

APSR101SG-7
  INN3376C
  UCC28780DDAR
  SG6010SG-E3

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