PTVS40VS1UR是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款单通道瞬态电压抑制二极管(TVS)。它专为保护敏感的电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和浪涌等瞬态过压事件的影响而设计。该器件具有低电容、低漏电流以及高箝位性能,非常适合用于高速数据线和射频线路的保护。
PTVS40VS1UR采用DFN2020-2L封装形式,这种小型化封装使其适合空间受限的应用场景。其工作电压范围和响应速度使其成为消费电子、通信设备和工业控制应用中的理想选择。
类型:瞬态电压抑制二极管
封装:DFN2020-2L
最大反向工作电压(Vrwm):40V
击穿电压(Vbr):44.8V
最大箝位电压(Vc):67.3V
峰值脉冲电流(Ipp):29A
结电容(Cj):5pF
漏电流(Ir):1μA(最大值,在25℃下)
响应时间:1ps
工作温度范围:-55℃至+150℃
PTVS40VS1UR的主要特性包括以下几点:
1. 极快的响应时间,能够在纳秒级时间内对瞬态过压做出反应,从而有效地保护下游电路。
2. 低结电容(5pF),使其适用于高速信号线路,例如USB、HDMI和其他高频数据接口。
3. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC61000-4-2国际标准,可承受±30kV接触放电和±30kV空气放电。
4. 小型化的DFN2020-2L封装,节省了PCB布局空间,特别适合便携式设备。
5. 广泛的工作温度范围(-55℃至+150℃),确保在极端环境条件下仍能稳定运行。
6. 低漏电流设计,最大限度地减少了对被保护电路的干扰。
PTVS40VS1UR广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的接口保护,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB端口、HDMI端口等。
2. 工业自动化系统中传感器信号线的保护。
3. 通信设备中射频天线端口的保护。
4. 汽车电子系统中CAN总线和LIN总线的保护。
5. 医疗设备中敏感信号线路的保护。
6. 其他需要高性能瞬态电压抑制的场合。
PTVS40VS1UTR, PTVS40VS2UR