PTVS3V3P1UP,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。该器件具有低钳位电压、响应速度快和可靠性高的特点,适用于需要高水平静电保护的精密电子设备。PTVS3V3P1UP,115 采用小型 UDFN(Ultra Thin DFN)封装,适合在空间受限的便携式电子产品中使用。
类型:单向TVS二极管
工作电压:3.3V
反向关态电压(VRWM):3.3V
击穿电压(VBR):最小3.8V,最大4.2V
最大钳位电压(VC):9.2V(在Ipp = 1.7A条件下)
最大峰值脉冲电流(Ipp):1.7A
最大反向漏电流(IR):100nA(最大)
封装形式:UDFN115(SOT1223)
引脚数:2
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
符合RoHS标准:是
PTVS3V3P1UP,115 具备多项优异的电气和物理特性,确保其在各种应用中提供稳定可靠的电压保护。
首先,其工作电压为3.3V,适用于保护3.3V供电系统的接口电路,例如USB、HDMI、以太网等。反向关态电压(VRWM)也为3.3V,意味着在正常工作电压下,器件不会导通,从而不会对电路造成干扰。击穿电压(VBR)的范围为3.8V至4.2V,当输入电压超过此范围时,TVS迅速导通,将多余的能量引导至地,从而保护后端元件。
其次,该TVS的最大钳位电压为9.2V,在1.7A的峰值脉冲电流下仍能保持较低的钳位电压,有效减少对敏感器件的冲击。最大反向漏电流仅为100nA,表明在正常工作状态下器件的功耗极低,不影响电路性能。
此外,该器件采用UDFN115(SOT1223)封装,尺寸小巧,厚度仅为0.5mm,适合在便携式设备和高密度PCB布局中使用。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适应各种恶劣工作环境,提高了器件的稳定性和寿命。
PTVS3V3P1UP,115 符合RoHS标准,无卤素,符合现代电子产品对环保的要求。
PTVS3V3P1UP,115 广泛应用于需要高精度静电和瞬态电压保护的电子系统中。其主要应用领域包括:USB接口保护、HDMI和DisplayPort接口、以太网端口、音频/视频接口、移动电话、平板电脑、可穿戴设备、工业控制系统、汽车电子模块等。在USB 3.0和USB Type-C接口中,该TVS可有效防止因插拔过程中产生的静电放电对主控芯片造成损坏。在音频和视频传输接口中,PTVS3V3P1UP,115 可保护放大器和接收器免受外部瞬态电压的影响。此外,该器件也常用于通信设备和工业自动化系统中,作为线路保护器件,防止因雷击或电源波动引起的电压浪涌对设备造成损害。
PESD3V3S1UP,115; PTVS4V3P1UP; PTVS3V3AP1UP; ESD5Z3V3U