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PTVS33VS1UTR,115 发布时间 时间:2025/9/14 18:57:03 查看 阅读:6

PTVS33VS1UTR,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管适用于通用放大和开关应用,具有良好的频率响应和稳定的工作特性。该器件采用SOT23封装,适合表面贴装工艺,广泛用于消费类电子产品、工业控制和通信设备中。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散:300mW
  频率响应:100MHz
  封装类型:SOT23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  增益带宽积(fT):100MHz
  直流电流增益(hFE):110 至 800(根据工作电流和型号后缀不同)

特性

PTVS33VS1UTR,115 是一款高性能的通用NPN晶体管,具有高频率响应能力,适用于高频放大和高速开关电路。该晶体管的hFE值范围宽广,可根据不同的工作条件提供良好的增益性能。其SOT23封装形式使其适用于高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和可靠性。此外,该晶体管具有低饱和压降(VCE(sat)),在开关应用中可减少功耗,提高系统效率。其结构设计优化了基极-发射极的结电容,有助于提升高频性能。这款晶体管符合RoHS环保标准,适用于无铅工艺制造。

应用

PTVS33VS1UTR,115 可用于多种电子电路设计,包括音频放大器、信号放大电路、开关电源、逻辑电平转换、LED驱动电路、传感器接口电路以及通信设备中的射频放大器。由于其良好的频率响应和稳定的性能,它也常用于无线通信模块和工业控制系统的信号处理电路。

替代型号

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222A、PN2222A

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PTVS33VS1UTR,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)33V
  • 电压 - 击穿36.7V
  • 功率(瓦特)400W
  • 电极标记单向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123W
  • 供应商设备封装SOD123W
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称PTVS33VS1UTR115