时间：2025/7/8 11:06:03
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RUF020N02TL-E 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，从而提高了效率并降低了功耗。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252(DPAK)，能够提供良好的散热性能，适用于对空间和散热要求较高的应用场景。
最大漏源电压：20V
最大连续漏极电流：17A
最大栅极漏极电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
栅极电荷：14nC
总电容（输入电容）：385pF
反向传输电容：115pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
RUF020N02TL-E 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 封装坚固可靠，能有效应对各种恶劣工作条件。
6. 提供优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持高效性能。
该器件适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流功能。
2. 各类 DC-DC 转换器设计，例如降压或升压转换。
3. 电机控制与驱动，用于工业自动化及消费电子产品。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 可再生能源领域的逆变器和功率调节系统。
6. 通信设备中的电源管理模块。
RUF020N02T4, IRFZ44N, FDP18N10
