PTVS33VP1UTP,115 是由NXP Semiconductors生产的一款电压抑制二极管(TVS - 瞬态电压抑制器),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。该器件采用单向设计,可提供高浪涌电流处理能力,适用于多种应用场景中的过压保护。其封装形式为SOT-23,适合在空间受限的PCB设计中使用。
类型:单向TVS二极管
击穿电压(Vbr):33V
最大反向工作电压(VRWM):28V
钳位电压(Vc):45V(在特定测试电流下)
最大峰值脉冲电流(Ipp):10A(8/20μs波形)
功率耗散:300W
封装:SOT-23
PTVS33VP1UTP,115 是一款高效的瞬态电压抑制器,具备出色的ESD保护能力,可承受IEC 61000-4-2标准下的±30kV空气放电和±30kV接触放电。其快速响应时间(通常低于1纳秒)确保了在瞬态事件发生时能够迅速导通,将有害电压钳制到安全水平,从而保护下游电路。此外,该器件具有低漏电流特性,在正常工作条件下对电路性能影响极小。SOT-23封装形式使其非常适合用于高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和可靠性。该TVS二极管还具有高浪涌耐受能力,可在恶劣环境中稳定工作。
PTVS33VP1UTP,115 的另一个显著特点是其优异的钳位性能,能够在大电流冲击下保持较低的钳位电压,从而减少对被保护器件的应力。其结构设计确保了在重复性浪涌事件下仍能保持稳定的电气特性。该器件还具备良好的温度稳定性,在宽温度范围内(通常为-55°C至+150°C)均可正常工作,适用于工业级和汽车级应用环境。此外,PTVS33VP1UTP,115 通过了AEC-Q101汽车电子认证,确保其在汽车电子系统中的可靠性和耐用性。
PTVS33VP1UTP,115 常用于各种电子设备中以提供高水平的ESD和浪涌保护。典型应用包括通信设备、消费电子产品、工业控制系统、汽车电子模块(如ECU、传感器和车载娱乐系统)以及电源管理系统。它特别适用于需要在有限空间内实现高可靠保护的场合,例如便携式设备、USB接口、HDMI接口和其它高速数据线路的保护。此外,该器件也广泛用于电池管理系统(BMS)和电机控制电路中,以防止因瞬态电压引起的故障或损坏。
PESD33VP1UTP,115, PTVS45VP1UTP,115, SMAJ33A, SMBJ33A