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UWG1V4R7MCL1GB 发布时间 时间:2025/10/7 0:30:27 查看 阅读:5

UWG1V4R7MCL1GB是一款由松下(Panasonic)公司生产的表面贴装型多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于松下广泛的工业级电容产品线,专为高可靠性、高性能的应用场景设计。UWG1V4R7MCL1GB采用先进的陶瓷材料和制造工艺,具备优异的电性能和长期稳定性,适用于各种严苛环境下的电子电路。该电容器的标称电容值为4.7μF,额定电压为35V DC,具有较宽的工作温度范围(-55°C至+125°C),能够满足汽车电子、工业控制、通信设备以及电源管理等领域的应用需求。其小型化封装尺寸为1210(3225公制),在有限的PCB空间内提供了较高的电容密度,有助于实现紧凑型电子产品设计。此外,该器件符合RoHS指令要求,无铅且环保,适合现代绿色电子制造流程。UWG1V4R7MCL1GB还具备低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性,使其在高频去耦、滤波和储能应用中表现出色。由于采用了稳定的X7R型介电材料,其电容值随温度、电压和时间的变化较小,确保了电路工作的稳定性和一致性。

参数

电容:4.7μF
  额定电压:35V DC
  电介质:X7R
  温度系数/容量变化:±15%
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  尺寸代码:1210(3225公制)
  长度:3.2mm
  宽度:2.5mm
  厚度:1.6mm
  端接:镍阻挡层/锡涂层
  电容容差:±20%
  直流偏压特性:在额定电压下电容下降约50%-60%(典型值)
  绝缘电阻:≥500MΩ或τ≥2500S(取较大者)
  损耗因数(tanδ):≤2.5%
  耐焊接热:符合IEC 60068-2-20标准
  抗弯强度:符合IEC 60068-2-21标准

特性

UWG1V4R7MCL1GB多层陶瓷电容器采用X7R型高介电常数陶瓷材料,这种材料在-55°C至+125°C的宽温度范围内具有稳定的电容性能,容量变化不超过±15%,确保了在极端环境条件下仍能保持良好的电路响应。相较于Y5V等其他介电类型,X7R材料在温度稳定性与电容密度之间实现了更优的平衡,特别适用于需要长期可靠运行的工业和汽车应用。该电容器具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这使得它在高频开关电源、DC-DC转换器输出滤波以及数字IC的去耦电路中表现卓越,能有效抑制电压波动和噪声干扰,提升系统整体稳定性。
  该器件采用先进的叠层结构和金属化内电极技术,内部由数百层交替排列的陶瓷介质与镍内电极构成,显著提高了单位体积内的电容密度,同时增强了机械强度和抗热冲击能力。其1210(3225)封装形式在保证较高容量的同时,兼顾了表面贴装工艺的兼容性,适合自动化高速贴片生产。端电极为三层结构(铜-镍-锡),提供良好的可焊性和耐腐蚀性,并通过了严格的耐焊接热测试,确保回流焊过程中不会出现裂纹或性能劣化。
  UWG1V4R7MCL1GB还具备出色的直流偏压特性,在施加接近额定电压的直流偏置时,虽然电容值会有所下降(典型下降幅度为50%-60%),但仍能维持足够的有效电容用于滤波和储能功能。这一特性使其优于许多普通MLCC,在实际应用中需结合偏压曲线进行电路设计以确保性能达标。此外,该电容器通过AEC-Q200认证的可能性较高,适用于汽车电子中的动力总成、ADAS系统和车载信息娱乐系统等对可靠性要求极高的场合。其低老化率和长期稳定性也减少了系统维护频率,提升了终端产品的使用寿命。

应用

UWG1V4R7MCL1GB广泛应用于多个高性能电子系统中,尤其适用于对电容稳定性、温度适应性和长期可靠性有较高要求的领域。在汽车电子方面,该电容器常用于发动机控制单元(ECU)、车身电子模块、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及高级驾驶辅助系统(ADAS)中的电源去耦和滤波电路,能够在剧烈温度变化和振动环境下保持稳定工作。在工业控制领域,它被集成于PLC控制器、伺服驱动器、变频器和工业电源模块中,用于平滑电压波动、抑制电磁干扰并提高系统的抗扰度。
  在通信设备中,UWG1V4R7MCL1GB可用于基站电源、光模块供电电路和射频功率放大器的旁路电容,凭借其低ESR和低ESL特性,有效滤除高频噪声,保障信号完整性。此外,在医疗电子设备如监护仪、超声成像系统和便携式诊断装置中,该电容因其高可靠性和符合环保标准而受到青睐,确保设备在长时间运行中的安全性和精度。
  在消费类高端电子产品中,例如服务器电源、笔记本电脑主板和游戏主机的电源管理单元,该器件也发挥着关键作用,特别是在多相VRM(电压调节模块)中作为输出滤波电容,帮助维持CPU/GPU供电的稳定。此外,由于其符合RoHS和无卤素要求,适用于全球市场的绿色电子产品认证。总体而言,UWG1V4R7MCL1GB凭借其优良的电气性能和坚固的物理特性,成为多种严苛应用场景下的理想选择。

替代型号

[
   "GRM32ER7E35C106KE88L",
   "C3225X7R1V476M160AC",
   "CL32E476MCVNPNNE",
   "EMK325BJ476ML-T"
  ]

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UWG1V4R7MCL1GB参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器-SMD
  • 电容4.7 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值35 Volts
  • 工作温度范围- 55 C to + 105 C
  • 尺寸4 mm Dia. x 5.4 mm L x 4.3 mm H
  • 产品Low Impedance Electrolytic Capacitors
  • Capacitance - nF4700 nF
  • 损耗因数 DF0.12
  • 漏泄电流3 uAmps
  • 加载寿命1000 hr
  • 封装Reel
  • 纹波电流60 mAmps
  • 系列WG
  • 工厂包装数量2000
  • 端接类型SMD/SMT