时间：2025/9/14 23:31:40
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PTVS26VS1UR,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的一款双极型晶体管（BJT），属于射频（RF）晶体管的类别，适用于射频功率放大应用。这款晶体管设计用于在高频下工作，具有较高的功率输出能力和良好的线性度，适合用于通信设备、射频测试仪器以及工业控制系统等应用场景。该晶体管采用 SOT-223 封装，便于散热并适用于表面贴装技术。
类型：NPN射频双极晶体管
最大集电极电流（Ic）：0.15A
最大集电极-发射极电压（Vce）：26V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Ptot）：1.5W
频率（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：最小为50（在Ic=2mA，Vce=5V时）
封装类型：SOT-223
PTVS26VS1UR,115 是一款性能优越的射频双极晶体管，适用于高频和中等功率的放大应用。该器件采用了 NXP 的先进制造工艺，确保了其在高频操作下的稳定性和可靠性。
首先，该晶体管具有较高的频率响应，典型频率（fT）为250MHz，使其能够在广泛的射频应用中使用，包括射频功率放大、混频、调制和解调等任务。该晶体管能够在较高的电压下工作（最大Vce为26V），从而提高了其在不同应用中的适应性。
其次，该器件的电流增益（hFE）最低为50，确保在不同工作条件下具有稳定的放大性能。这一增益值对于射频放大器来说非常关键，因为它影响着放大器的线性度和输出功率。
PTVS26VS1UR,115 主要用于射频功率放大器、无线通信系统、射频测试设备、音频放大器和工业控制系统等场景。其高频率响应和良好的线性度使其成为射频信号处理和传输应用中的理想选择。此外，该晶体管也可用于低噪声放大器和射频混频器，以提升系统的整体性能。
BFQ59, BFQ67, 2N3866, PTVS26VS1URH
