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LBC857CWT1G 发布时间 时间:2025/5/7 16:25:50 查看 阅读:21

LBC857CWT1G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺,主要用于需要高效率和低功耗的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提升系统的整体性能。其封装形式为TO-263,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:4.5mΩ
  总功耗:115W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

LBC857CWT1G的核心优势在于其超低的导通电阻和卓越的热性能。这款MOSFET能够在高频开关条件下提供高效的功率转换,同时具备出色的耐用性和可靠性。其独特的设计使其非常适合应用于负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
  此外,该芯片采用了先进的封装技术,有效降低了寄生电感对系统性能的影响,并提高了散热能力。在实际应用中,它能显著减少功率损耗,延长设备使用寿命。

应用

LBC857CWT1G广泛应用于多种电子设备领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能
  2. DC-DC转换器的核心功率级组件
  3. 汽车电子中的负载控制
  4. 工业自动化设备中的电机驱动
  5. 笔记本电脑适配器及充电器解决方案
  由于其优异的电气特性和热稳定性,该产品已成为众多工程师设计高效功率管理系统时的首选方案。

替代型号

LBC857CWQ1G, LBC857CWK1G

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