时间：2025/9/15 0:35:40
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PTVS24VS1UR,115 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，属于双晶体管（Dual Transistor）类型，通常用于高频和中功率放大器应用。该器件包含两个独立的 NPN 晶体管，采用 SOT-223 封装，适用于需要紧凑设计和高效性能的电子电路。
晶体管类型：NPN 双晶体管
最大集电极-发射极电压（Vce）：25 V
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大功耗（Ptot）：300 mW
频率（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
封装类型：SOT-223
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PTVS24VS1UR,115 具备高性能的双晶体管结构，使其在射频（RF）和模拟电路中表现出色。该器件的两个晶体管在制造过程中被集成在同一硅芯片上，确保了两个晶体管之间良好的匹配性和一致性，这在差分放大电路和平衡混频器中尤为重要。此外，SOT-223 封装提供了良好的热性能和机械稳定性，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。
这款晶体管的工作频率高达 250 MHz，适用于高频信号放大和开关应用。其 hFE（电流增益）范围广泛，可根据不同的工作电流选择适当的增益值，从而优化电路性能。低功耗和高稳定性的特性也使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。
由于其高集成度和优良的高频特性，PTVS24VS1UR,115 在通信系统、音频放大、传感器接口和嵌入式控制电路中都有广泛应用。
该器件常用于射频（RF）放大器、音频前置放大器、信号处理电路、逻辑电平转换器、驱动继电器或 LED 显示器的接口电路等。此外，它在工业自动化控制、汽车电子和消费类电子产品中也广泛使用。例如，在无线通信模块中，PTVS24VS1UR,115 可用于中频信号放大或天线切换电路中的开关控制。
在设计中，该器件可以作为差分放大器、达林顿对管或射极跟随器使用，提供高效的信号处理能力。同时，由于其良好的热稳定性和低功耗特性，也适合用于高温环境下的应用。
PN2222A, BC847, 2N3904
