时间：2025/6/29 2:05:14
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SI7460DP 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件具有较低的导通电阻和较高的效率，专为要求高能效的应用而设计。其封装形式为表面贴装的小型封装（DFN8 3x3），非常适合空间受限的设计环境。
该型号 SI7460DP-T1-E3 表明这是特定版本的芯片，其中 -T1-E3 可能代表特定的测试等级、工作条件或封装标识。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：27nC（典型值）
输入电容：1080pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DFN8 (3x3mm)
功耗：28W
SI7460DP 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合需要大电流驱动的应用场景。
3. 小型 DFN8 封装，节省 PCB 空间，同时提供良好的热性能。
4. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
5. 快速开关速度，减少开关损耗，提升高频应用中的表现。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使得 SI7460DP 成为电源管理、电机驱动和负载切换等应用的理想选择。
SI7460DP 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. OR-ing 二极管替代方案
4. 电池保护电路
5. 电机控制与驱动
6. 负载开关和固态继电器
7. 电信和网络设备中的高效功率传输
由于其低导通电阻和快速开关特性，这款 MOSFET 特别适用于对效率和热性能有较高要求的场景。
SI7450DP, IRF7832, FDN338P
