时间：2025/9/14 17:07:29
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PTVS17VS1UTR,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双双向电压抑制（TVS）二极管阵列，专为保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其他瞬态电压的影响而设计。该器件采用小型DFN封装（2.5mm x 1.0mm），适用于便携式设备、通信接口、消费电子产品以及汽车电子系统等对空间要求较高的应用场合。该器件集成了两个独立的TVS二极管通道，能够为敏感的电子元件提供高效、可靠的保护。
类型：TVS二极管阵列
工作电压：17V
反向关态电压（VRWM）：17V
钳位电压（Vc）：29.2V（最大值，Ipp=1A）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A
响应时间：小于1纳秒
封装类型：DFN1010-6（2.5mm x 1.0mm）
引脚数量：6
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
PTVS17VS1UTR,115 的主要特性之一是其双通道结构，允许用户在单个封装中保护两个不同的信号线路，这对于需要多路保护的高速数据接口（如USB、HDMI或以太网接口）非常有用。该器件具有极低的电容（通常小于8pF），确保在高速传输线路中不会引入明显的信号失真或延迟，从而保持信号完整性。此外，其双向保护结构可以同时保护正负方向的瞬态电压，适用于交流信号线或差分信号线路。
该器件的钳位电压相对较低，有助于在发生ESD或浪涌事件时迅速将电压限制在安全范围内，从而防止下游电路受到损坏。其快速响应时间（小于1纳秒）意味着它可以在电压瞬变发生的最初阶段就介入保护，极大地提升了系统的稳定性与可靠性。PTVS17VS1UTR,115 还具有高浪涌吸收能力，可承受IEC 61000-4-2 Level 4级别的静电放电冲击（±8kV接触放电），适用于工业和汽车电子环境中的高要求保护场景。
此外，该器件采用无铅环保封装，符合RoHS和REACH标准，适合用于对环境友好型产品设计。其DFN封装不仅节省空间，而且具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率。
PTVS17VS1UTR,115 常用于便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的USB、HDMI、音频和传感器接口的ESD保护。在通信设备中，它可以用于保护以太网端口、RS-485接口以及CAN总线等关键通信线路。此外，该器件也适用于工业控制系统、汽车电子模块（如车载娱乐系统、仪表盘接口和远程信息处理模块）以及智能电表等物联网（IoT）设备中，为其提供可靠的瞬态电压抑制保护。
PTVS3V3VS1UTR,115; PTVS12VS1UTR,115; PESD17VS1UTR
