时间：2025/9/14 16:09:03
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PTVS15VZ1USKYL 是 Vishay Semiconductors 推出的一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。这款器件设计用于高效率、低电压应用，如负载开关、电源管理以及 DC-DC 转换器。PTVS15VZ1USKYL 具有低导通电阻 (RDS(on)) 和优异的热性能，适用于需要紧凑设计和高性能的便携式设备和工业控制系统。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极-源极电压 (VDS)：-15V
最大栅极-源极电压 (VGS)：±8V
最大连续漏极电流 (ID)：-4.3A
导通电阻 RDS(on)：15mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻 RDS(on)：22mΩ @ VGS = -2.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TSSOP
功率耗散 (PD)：2.4W
PTVS15VZ1USKYL 的核心优势在于其低导通电阻特性，使其在负载开关和电源管理应用中能够有效降低功率损耗。该器件支持低栅极电荷 (Qg)，从而提高了开关效率，降低了开关损耗，非常适合高频操作。此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供了优异的热稳定性和高电流处理能力。
该器件的 TSSOP 封装不仅节省空间，还具备良好的热管理和散热性能，适合高密度 PCB 设计。PTVS15VZ1USKYL 还具有良好的抗雪崩击穿能力，确保在高应力条件下仍能保持稳定运行。
在实际应用中，PTVS15VZ1USKYL 可以轻松并联使用，以实现更高的电流容量，适用于电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制电路等场景。该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于对环境要求较高的项目。
PTVS15VZ1USKYL 主要用于便携式电子设备、工业自动化控制系统和电源管理模块。常见应用包括负载开关、电源分配系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统以及低电压电机控制器。此外，该 MOSFET 在消费类电子产品、通信设备和汽车电子系统中也得到了广泛应用。
Si4435BDY-T1-GE3, AO4406A, FDN340P, IPD3N03CDLG
