时间：2025/9/14 17:32:51
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PTVS10VS1UTR,115 是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和其他瞬态电压的损害。该器件采用单向保护结构，适用于低电压应用场景，具备快速响应时间和高可靠性。
类型：瞬态电压抑制器（TVS）
极性：单向
工作电压：10V
最大钳位电压：16.5V
峰值脉冲电流：10A（8/20μs波形）
功率耗散：300W
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PTVS10VS1UTR,115 具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并钳制电压，保护下游电路不受损害。其单向结构设计适用于直流电路保护，尤其适合用于电源线或信号线的保护应用。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。此外，其高达10A的峰值脉冲电流承受能力，使其在面对高强度瞬态冲击时仍能保持稳定运行。该TVS器件无需外部电源即可工作，具备自恢复能力，可在多次瞬态事件中持续提供保护，提高了系统的可靠性和寿命。
在电气特性方面，PTVS10VS1UTR,115 的最大工作电压为10V，最大钳位电压为16.5V，确保在瞬态事件中将电压控制在安全范围内。其响应时间极短，通常在皮秒级别，能够在ESD事件发生时迅速动作，防止电压尖峰损坏敏感电子元件。此外，该器件的功率耗散能力为300W，支持在高能量冲击下维持稳定性能。
PTVS10VS1UTR,115 主要用于需要对低压电路进行瞬态保护的应用场景，例如便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、数码相机）、USB接口保护、电源适配器、传感器模块、工业控制系统等。它特别适用于需要在有限空间内实现高效保护的场合，如电池管理系统、数据通信线路、消费类电子设备和汽车电子模块。由于其快速响应能力和高可靠性，该器件也常用于电磁兼容性（EMC）设计中，以满足各类电磁干扰（EMI）和静电放电（ESD）标准的要求。
PESD5V0S1BA,115; PESD12VS1BA,115; TVS10VS1UH; PESD10VS1UL
