PTVS10VS1UR 时间：2025/6/29 7:39:55 阅读：3

PTVS10VS1UR是一种基于硅技术的高速瞬态电压抑制（TVS）二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电感负载切换和其它瞬态电压干扰而设计。该器件具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点，适用于数据线、信号线以及射频线路的保护。它符合AEC-Q101标准，适合汽车级应用。

参数

工作电压：5V
　　峰值脉冲电流：18A
　　最大反向工作电压：5.8V
　　击穿电压：6V
　　最大箝位电压：21.7V
　　结电容：9pF
　　响应时间：1ps
　　漏电流：1μA（最大值，@VRWM）

特性

PTVS10VS1UR具有以下主要特性：
　　1. 极低的电容值，使其非常适合高速信号线路保护。
　　2. 快速响应时间，能够有效抑制瞬态电压尖峰。
　　3. 高浪涌承受能力，可应对多次重复的瞬态冲击。
　　4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
　　5. 提供单向和双向电压配置选项，以适应不同的电路需求。
　　6. 小型化封装（如DO-214AC），节省PCB空间。

应用

该器件广泛应用于各种需要保护的电子系统中，包括但不限于：
　　1. 汽车电子系统中的数据总线保护（如CAN、LIN、FlexRay等）。
　　2. 移动通信设备中的天线端口保护。
　　3. USB接口、HDMI接口以及其他高速数据接口的保护。
　　4. 工业控制设备中的信号线路保护。
　　5. 网络设备中的以太网端口保护。
　　PTVS10VS1UR凭借其优异的性能，在汽车、消费电子和工业领域都有广泛应用。