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PTV05010W 发布时间 时间:2025/5/30 23:39:46 查看 阅读:8

PTV05010W是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和大电流应用。该器件采用N沟道技术,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其高耐压特性和低导通电阻使其成为高性能功率转换的理想选择。
  PTV05010W的封装形式通常为TO-220或DPAK,具体取决于制造商的工艺设计。它能够承受较高的漏源极电压,同时具备良好的开关特性和热性能。

参数

漏源极电压:500V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:0.5Ω
  栅极电荷:35nC
  总功耗:75W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

PTV05010W具有以下关键特性:
  1. 高漏源极电压(500V),适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻(0.5Ω),可减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定性能。
  5. 封装形式支持表面贴装和通孔安装,便于不同应用场景下的设计需求。
  6. 可靠性高,适合工业级和消费级电子设备。

应用

PTV05010W广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制部分。

替代型号

IRF840,
  STP50NF06,
  FQP18N50,
  IXFN50N06P

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