PTE005B 3.3V-8A是一款高性能、低电压、大电流的同步整流DC-DC降压转换器(Buck Converter),广泛应用于需要高效能电源管理的嵌入式系统、FPGA、ASIC、微处理器及数字信号处理器的核芯供电场景。该器件采用先进的CMOS工艺制造,内置高边和低边MOSFET,能够在输入电压较高的情况下稳定输出3.3V的电压,并持续提供高达8A的负载电流,具备出色的热稳定性和动态响应能力。PTE005B集成多种保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),确保在复杂工作环境下的可靠性。其封装形式通常为小型化QFN或类似高散热效率的封装,适用于空间受限但对功率密度要求较高的应用场合。通过外部电阻分压网络可精确调节输出电压,同时支持外部时钟同步功能,便于EMI优化和多相并联设计。该芯片工作频率可在较宽范围内调节,典型开关频率为500kHz至1MHz,有助于在效率与外围元件尺寸之间取得平衡。
型号:PTE005B
输出电压:3.3V
最大输出电流:8A
输入电压范围:4.5V - 18V
静态电流:典型值2.5mA
关断电流:小于1μA
工作效率:最高可达95%
开关频率:可调,典型值600kHz
反馈参考电压:0.6V ±1%
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:QFN-16(4mm x 4mm)
保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)
调节方式:电压模式/PWM控制
外部元件支持:支持外部时钟同步、软启动引脚
PTE005B 3.3V-8A具备卓越的电气性能和系统集成度,其核心优势在于高效率和高可靠性。该芯片采用同步整流技术,显著降低了传统续流二极管带来的导通损耗,从而提升了整体转换效率,尤其是在重载条件下表现优异。其内置的上管和下管MOSFET经过优化设计,具有低Rdson特性,减少了功率损耗,提高了热效率。
芯片支持宽输入电压范围(4.5V至18V),使其能够兼容多种电源输入场景,例如12V系统总线或工业级直流供电系统。输出电压通过外部电阻分压网络设定,反馈基准电压为0.6V,精度高达±1%,确保输出电压的稳定性与精确性。此外,PTE005B具备良好的瞬态响应能力,能够在负载快速变化时迅速调整占空比,维持输出电压的稳定,避免因电压跌落或过冲导致系统异常。
为了提升系统的安全性,PTE005B集成了多重保护机制。过流保护通过检测下管MOSFET的电流实现,一旦负载电流超过安全阈值,芯片将进入打嗝模式限制输出,防止损坏。过温保护功能在芯片结温超过设定阈值(通常为150°C)时自动关闭输出,待温度下降后恢复运行。欠压锁定功能确保芯片仅在输入电压达到正常工作范围后才启动,避免了低压状态下的不稳定工作。
该器件还支持外部时钟同步,允许用户将多个PTE005B芯片进行相位交错操作,降低输入纹波电流,优化EMI性能。软启动功能可通过外接电容编程,控制启动过程中的电压上升速率,防止浪涌电流冲击输入电源。其QFN封装具有优良的散热性能,配合PCB上的散热焊盘可有效传导热量,适合高功率密度设计。
PTE005B 3.3V-8A广泛应用于需要高效、稳定电源供应的中高端电子设备中。常见应用场景包括工业自动化控制系统中的PLC模块、现场总线接口电源;通信设备如路由器、交换机的板载电源管理单元;服务器和存储设备中的FPGA、DSP或ASIC的核供电;以及测试测量仪器、医疗电子设备等对电源噪声和稳定性要求较高的领域。
在嵌入式系统中,该芯片可用于为ARM架构处理器、Xilinx或Intel(原Altera)FPGA提供核心电压和I/O电压。由于其支持8A大电流输出,特别适合多通道ADC/DAC、高速接口(如SerDes)等高功耗模块的供电需求。此外,在LED驱动、电机控制板、智能传感器节点等需要紧凑型高效电源方案的设计中,PTE005B也展现出良好的适应性。
得益于其小型化封装和高集成度,PTE005B非常适合用于空间受限但对功率密度要求高的便携式设备或模块化电路板设计。其可调频率和同步功能也使其成为多相电源设计的理想选择,能够有效分散热负荷,提升系统整体效率和可靠性。
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