时间：2025/8/2 8:54:51
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DMN601VK-7 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关和电池供电设备等领域。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高效率的功率控制性能。DMN601VK-7 采用 SOT-223 封装，适合表面贴装工艺，具有良好的热性能和空间节省设计。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
封装类型：SOT-223
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-2.7A
导通电阻（RDS(on)）：125mΩ @ VGS = -4.5V，240mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
DMN601VK-7 的核心优势在于其低导通电阻和高电流能力，使其在低电压和高效率要求的应用中表现出色。采用先进的 TrenchFET 技术，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的 SOT-223 封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，能够适应较为严苛的工作环境。此外，DMN601VK-7 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 -2.5V 到 -4.5V 的多种逻辑电平控制，便于与不同类型的控制器配合使用。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提升整体性能。
该 MOSFET 还具有优异的热稳定性和可靠性，适用于需要长时间稳定运行的工业和消费类电子产品。此外，其反向漏电流较小，有助于减少待机功耗，延长电池使用寿命。
DMN601VK-7 主要用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块以及各种低电压功率控制应用。由于其低导通电阻和高集成度，该器件也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等移动设备的电源管理电路中。此外，它还可以用于工业控制系统中的小型电机驱动和继电器替代方案。
Si2302DS, FDN304P, DMN602VK, DMN603VDF, DMN601VDF
