型号：PTD2004EB
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：40V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：18A
　　脉冲漏极电流(IDM)：70A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 10V：8.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 4.5V：12.5mΩ
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：1300pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：470pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerSO-8

PTD2004EB采用了安森美的高性能TrenchMOS工艺，这种结构优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其在VGS=10V时RDS(on)仅为8.5mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于实现更高的功率密度和更小的散热设计需求。器件的低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使其具备快速开关能力，适用于高频开关电源拓扑如同步降压、升压及半桥电路，有效降低开关损耗并提升系统效率。由于其具备较低的栅极阈值电压（典型值2.5V），可以兼容3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计。
　　该器件的PowerSO-8封装不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘将热量高效传导至PCB，增强了热管理能力。封装内部引线设计优化，减小了寄生电感，有利于抑制开关过程中的电压振铃现象，提高系统EMI性能。PTD2004EB通过AEC-Q101认证，意味着它经过了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击等多项考核，确保在复杂振动、温变剧烈的汽车环境中仍能保持长期可靠性。此外，该MOSFET内置体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于H桥或同步整流应用中的自由换流路径。
　　为了提升系统鲁棒性，PTD2004EB具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载断开时提供一定程度的自我保护。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端环境温度下正常运行，适用于户外设备、工业控制系统及电动汽车辅助电源模块。器件还具有良好的抗dv/dt能力，减少误触发风险，提升系统稳定性。综合来看，PTD2004EB是一款兼具高性能、高可靠性和广泛适用性的功率MOSFET，特别适合追求小型化、高效率和长寿命的现代电子系统设计需求。

PTD2004EB广泛应用于多种中低压高电流开关场景。在DC-DC转换器中，尤其是同步整流降压变换器中，常作为主开关管或同步整流管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。在电机驱动应用中，如直流电机或步进电机的H桥驱动电路，该器件可作为桥臂开关元件，实现双向转速和方向控制，适用于电动工具、家用电器和小型机器人等设备。在电池供电系统中，如便携式设备、电动自行车控制器或UPS电源中，PTD2004EB可用于电池充放电管理电路或负载开关，实现高效的电源通断控制。
　　由于其通过AEC-Q101认证，该器件也广泛用于汽车电子系统，例如车载照明驱动、车身控制模块（BCM）、电动门窗控制单元、车载充电器（OBC）辅助电源等，满足车规级对温度、振动和寿命的严苛要求。此外，在工业自动化领域，PTD2004EB可用于PLC输出模块、继电器替代电路或固态开关中，提供无触点、长寿命的功率切换解决方案。在LED驱动电源中，作为恒流调节开关管，可实现高效稳定的光输出控制。其小型化的PowerSO-8封装也使其适用于空间受限的高密度PCB布局，如通信设备电源模块、嵌入式主板电源管理单元等。总之，PTD2004EB凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多中功率开关应用中的优选器件。

NTMFS4C04N, SI4404DY, FDMC86280, AOZ5242AIJ