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PTD08A015W 发布时间 时间:2025/5/24 15:38:16 查看 阅读:14

PTD08A015W 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和优秀的开关特性,能够显著提升系统效率并降低能耗。
  PTD08A015W 的封装形式通常为 TO-263(DPAK),适合高功率密度的设计场景。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):0.15Ω
  栅极电荷:30nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

PTD08A015W 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,降低了开关损耗。
  3. 较小的栅极电荷,简化了驱动电路设计。
  4.系统的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和组装。

应用

PTD08A015W 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管或开关管。
  3. 电机驱动中的功率级控制。
  4. 电池保护电路。
  5. 各类工业设备中的功率转换模块。
  6. LED 驱动电路中的功率开关元件。

替代型号

IRFZ44N
  FDP087N15
  STP80NF15

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