时间:2025/12/27 17:58:16
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68B10S是一种表面贴装的瞬态电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),主要用于电子电路中的过电压保护。该器件能够在极短时间内响应瞬态过电压事件(如静电放电ESD、雷击感应、电感负载切换等),将电压钳位于安全水平,从而保护下游敏感电子元件免受损坏。68B10S属于单向TVS二极管,意味着其工作特性类似于一个具有高浪涌承受能力的齐纳二极管,仅在正向导通时抑制过电压,适用于直流电源线路或单极性信号线的保护场景。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具备较小的体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。其标称击穿电压为68V,最大反向关断电压为64.6V,最小击穿电压为71.4V,确保在正常工作电压下保持高阻态,而在过压条件下迅速导通泄放能量。
类型:单向TVS二极管
封装:SMA(DO-214AC)
击穿电压(V_BR):68V(标称值)
最小击穿电压(V_BR_min):71.4V @ I_T=1mA
最大反向关断电压(V_RWM):64.6V
最大钳位电压(V_C):93.6V @ I_PP=10A
峰值脉冲功率(P_PP):1000W(8/20μs电流波形)
最大反向漏电流(I_R):5μA @ V_R=64.6V
峰值脉冲电流(I_PP):10A(典型)
工作结温范围(T_J):-55°C 至 +150°C
储存温度范围(T_STG):-55°C 至 +150°C
68B10S的核心特性之一是其高效的瞬态过电压抑制能力,能够在纳秒级时间内响应高达1000W的峰值脉冲功率,适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中对电源线和信号线的保护需求。该器件采用硅半导体PN结结构,通过雪崩击穿机制实现电压钳位,在正常工作状态下呈现极低的漏电流(通常小于5μA),不会对系统功耗造成显著影响。当线路中出现超过其击穿阈值的瞬态电压时,器件迅速从高阻态转变为低阻态,将多余能量导入地线,从而限制电压上升幅度,保护后级IC、微控制器或其他敏感元件。
另一个重要特性是其可靠的热稳定性和长期耐久性。68B10S设计可承受多次重复性的浪涌冲击而性能不发生退化,尤其适合暴露于恶劣电磁环境的应用场合。其SMA封装不仅节省空间,还具备良好的热传导路径,有助于在大电流瞬变期间快速散热,防止热失控。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且兼容现代回流焊工艺,适用于自动化贴片生产线。由于其单向导电特性,68B10S特别适用于正直流供电系统的保护,例如12V、24V或48V工业电源总线,能够有效抵御开关瞬变、电机反电动势和静电放电等常见干扰源。
68B10S广泛应用于需要高可靠性过压保护的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC输入输出模块、传感器接口和继电器驱动电路中,防止因电感负载切换产生的反峰电压损坏控制芯片。在通信设备中,可用于以太网供电(PoE)接口、RS-485总线或DC-DC电源转换器前端,提升系统的电磁兼容性(EMC)和抗扰度。消费类电子产品如智能家居控制器、安防监控设备和电源适配器也常采用此类TVS器件来增强产品鲁棒性。此外,汽车电子中的12V辅助电源系统(非车载充电部分)也可使用68B10S进行瞬态抑制,满足ISO 7637-2等车载脉冲抗扰标准的部分测试要求。由于其响应速度快、通流能力强,该器件还可作为备用保护方案与压敏电阻(MOV)或气体放电管(GDT)组合使用,形成多级防护架构,实现更全面的系统级浪涌保护。
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"P6KE68A",
"SMAJ68A",
"TPSMAJ68A",
"SMCJ68A"
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