PTB78560A是一款高性能的功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和音频放大等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,能够有效提高系统的效率和可靠性。
PTB78560A属于N沟道MOSFET,其封装形式通常为TO-220或DPAK,适合高功率密度的设计需求。此外,它还具备出色的热性能和电气稳定性,使其在多种工业和消费类电子应用中表现出色。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:5.6A
导通电阻:1.2Ω
栅极电荷:35nC
开关时间:开通时间10ns,关断时间25ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
PTB78560A的主要特性包括:
1. 高击穿电压,适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻,减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关速度,降低开关损耗,非常适合高频应用。
4. 优秀的热稳定性和鲁棒性,确保长时间可靠运行。
5. 小尺寸封装选项,节省PCB空间,便于系统集成。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
PTB78560A适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机控制与驱动电路中的功率级元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. LED驱动器和音频功放设计。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的直流-直流转换器组件。
IRF7856,
STP70NE7,
FDP7856,
IXYS7856