类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时≤8.5mΩ，@VGS=4.5V时≤13mΩ
　　最大功耗（PD）：134W
　　封装形式：PowerPAK SO-8双封装

PT4556JESOG 采用先进的Trench工艺，显著降低了导通电阻并提高了器件的开关性能。其低RDS(on)特性可减少导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流、高频操作环境。该MOSFET支持高达60A的连续漏极电流，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　此外，该器件具有快速的开关速度，降低了开关损耗，并提高了整体系统性能。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提升响应速度。同时，PT4556JESOG具备良好的热稳定性，采用PowerPAK SO-8双封装，能够有效散热，提高可靠性。
　　在保护方面，PT4556JESOG具备一定的抗静电能力（ESD）和雪崩能量耐受能力，能够在恶劣工作环境下保持稳定。此外，其封装设计兼容标准表面贴装工艺，便于PCB布局和自动化生产。
　　综合来看，PT4556JESOG是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要高效能、小体积和高稳定性的电源管理和功率转换应用。

PT4556JESOG 主要应用于同步整流电路、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、服务器和通信电源、马达驱动电路、负载开关和电源管理模块等场景。由于其高电流容量和低导通电阻特性，该器件在高效率电源转换系统中表现尤为出色。

SiSS5610N, NexFET CSD17551Q5A, AO4556