时间：2025/9/14 13:08:33
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BUK7635-100A,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于各种高效率电源管理和功率转换应用。该 MOSFET 的最大漏极电流可达 35A，漏源击穿电压为 100V，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关和电池管理系统等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：100 V
最大栅源电压 Vgs：±20 V
最大漏极电流 Id（连续）：35 A
导通电阻 Rds(on)（典型值）：12.5 mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：100 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
引脚数：3
技术：Trench MOSFET
BUK7635-100A,118 具有多个显著的性能优势，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为 12.5mΩ，这使得在大电流条件下导通损耗极低，有助于提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其高达 35A 的连续漏极电流能力和 100V 的漏源电压使其适用于多种中高功率应用场景。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。该器件的 TO-220 封装形式便于安装和散热管理，广泛应用于工业和汽车电子系统中。
在栅极驱动方面，BUK7635-100A,118 具有较宽的栅极电压容限（±20V），增强了在不同驱动电路中的适应性。同时，其快速的开关速度和低输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。该器件还具有良好的抗过载和短路保护能力，提升了系统的可靠性。
BUK7635-100A,118 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统以及汽车电子中的功率模块。由于其优异的导通特性和高可靠性，该 MOSFET 特别适用于需要高效率和紧凑设计的工业电源、电动工具、不间断电源（UPS）以及新能源汽车的电控系统中。
IPD90N10S3-03, FDD8882, IRF1404, BUK7K56-100E
