时间：2025/8/1 20:35:17
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PT4515GEESH 是一款由 Polytron Technologies 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效功率管理的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和更高的效率，适用于电源转换、马达控制、电池管理系统等多个领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装类型：TO-252（DPAK）
漏源电压 (Vds)：60V
栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：12A
导通电阻 (Rds(on))：0.025Ω（典型值）
功率耗散 (Ptot)：83W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PT4515GEESH 的关键特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，使其在高负载条件下也能保持优异的性能。其采用 TO-252 封装，便于安装和散热，适用于紧凑型设计。该 MOSFET 还具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统的动态响应能力。同时，它具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的可靠性保障。
PT4515GEESH 常用于各种功率电子应用，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器以及电池管理系统。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电源管理系统、汽车电子以及消费类电子产品中的高效能功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
IRFZ44N, STP12NM60ND, FQP12N60C
