PT4515CEESH 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
它是一种 N 沟道增强型 MOSFET,适用于需要高效能和可靠性的各种电子系统。其封装形式为 EESH,这种封装有助于提高散热性能并降低寄生电感,从而提升整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:28A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:47nC
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:EESH
PT4515CEESH 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著减少功率损耗。
2. 高开关速度设计,适合高频应用场合。
3. 优秀的热稳定性,确保在极端温度条件下仍能保持可靠运行。
4. 小尺寸封装,便于 PCB 布局优化。
5. 内置静电保护功能,提高了产品的抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级转换。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动车及混合动力车中的电池管理系统。
5. LED 照明驱动器中的电流调节。
6. 各类 DC-DC 转换器模块。
IRFZ44N, FDP5500BL, AOD550